高純度Ge 半導体検出器の基本構成に含まれないのはどれか。
高純度Ge 半導体検出器の基本構成に含まれないのはどれか。
- ⑴ 高圧電源高純度Ge検出器は空乏層を広げるため数千Vの逆バイアスを必要とし、高圧電源は必須の構成要素です。
- ⑵ 線形増幅器線形増幅器は前置増幅器の出力を波形整形しながら増幅し、波高分析に適した信号にします。基本構成に含まれます。
- ⑶ 前置増幅器前置増幅器は微弱な収集電荷を電圧パルスに変換する電荷感応型増幅器で、検出器直後に置かれる必須要素です。
- ⑷ 光電子増倍管光電子増倍管はシンチレーション光を電気信号に変える素子です。電子‐正孔対を直接集める半導体検出器では使わないため、これが正解です。
- ⑸ 多重波高分析器多重波高分析器はパルス波高をチャネルごとに集計してγ線スペクトルを作る装置で、Ge検出器の中核的な構成要素です。
解説
正解は⑷です。高純度Ge半導体検出器は、逆バイアスをかけた空乏層で放射線が生じた電子‐正孔対を直接集める検出器です。基本構成は検出器素子と、それに数千Vの逆バイアスを与える高圧電源、電荷を電圧に変換する前置増幅器、波形を整形して増幅する線形増幅器、そして波高を分類してスペクトルを得る多重波高分析器です。光電子増倍管はシンチレータの発光を電気信号に変えるための素子で、光を介さない半導体検出器には不要です。液体窒素による冷却系が必要になる点も特徴として押さえておきましょう。
出典：厚生労働省ホームページ（https://www.mhlw.go.jp/seisakunitsuite/bunya/kenkou_iryou/iryou/topics/tp250428-06.html）を加工して作成